技術(shù)編號：10612730
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。內(nèi)存計(jì)算技術(shù)的飛速發(fā)展，導(dǎo)致現(xiàn)有基于DRAM的主存系統(tǒng)在擴(kuò)展性、能耗等方面已經(jīng)難以適應(yīng)進(jìn)一步的發(fā)展，而新型非易失性主存的出現(xiàn)為優(yōu)化現(xiàn)有的內(nèi)存系統(tǒng)提供了新的機(jī)會(huì)，因?yàn)樽鳛閮?nèi)存時(shí)非易失性主存具有非易失、能耗低以及更好的擴(kuò)展性等優(yōu)勢，但要想完全取代現(xiàn)有的DRAM，在寫速度、動(dòng)態(tài)能耗以及壽命等方面非易失性主存還相距DRAM甚遠(yuǎn)，所以一種比較常見的內(nèi)存結(jié)構(gòu)是采取DRAM和非易失性主存作為混合主存，其中DRAM作為非易失性主存的上層緩存，這樣可以更好的優(yōu)勢劣勢互補(bǔ)從而...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲(chǔ)備，不適合論文引用。
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