技術(shù)編號：10618030
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。三維(“3D”)垂直NAND串公開于T.EndoH等人的題為“NoveIUltra High DensityMemory With A Stacked-Surrounding Gate Transistor(S-SGT)Structured Cell，，，國際電子器件會議(IEDM Proc)，2001年，第33-36頁的文章中。然而，該NAND串每單元僅提供一個(gè)位(bit)。此外，NAND串的有源區(qū)由相對困難和耗時(shí)的工藝來形成，這導(dǎo)致大致圓錐形的有源區(qū)形...
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