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      通過噴射沉積與近熔點壓制致密化制備高硅鋁合金電子封裝材料的方法技術(shù)資料下載

      技術(shù)編號:10622622

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      在現(xiàn)代電子封裝,高硅鋁合金材料具有良好的比剛度、熱膨脹系數(shù)以及 熱導(dǎo)率,與印刷電路板相匹配,能減少射頻散射和輻射損耗,是一種優(yōu)良的電子封裝材料, 廣泛用作高頻印刷電路的襯板。然而,當合金成分中Si的質(zhì)量分數(shù)大于12. 2%時,利用傳 統(tǒng)熔鑄法制備硅鋁合金,合金中Si相的分布極不均勻,并最終導(dǎo)致材料的力學性能差,難 以進行機械加工等后續(xù)處理。隨著合金中硅含量的升高,這一問題更為突出,同時受到工藝 本身的局限,很難制備高硅鋁合金,阻礙了這種很有應(yīng)用前景的電子...
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