技術(shù)編號(hào)：10625502
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。已知三維地排列有存儲(chǔ)單元的NAND (Not AND，與非)型閃存。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的實(shí)施方式提供一種可使動(dòng)作可靠性提升的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置包括第I存儲(chǔ)單元、第2存儲(chǔ)單元、電連接于所述第I存儲(chǔ)單元的第I位線、電連接于所述第2存儲(chǔ)單元的第2位線、具有電連接于所述第I位線的第I感測(cè)(sense)節(jié)點(diǎn)且感測(cè)該第I感測(cè)節(jié)點(diǎn)的電位的第I感測(cè)模塊、及具有電連接于所述第2位線的第2感測(cè)節(jié)點(diǎn)且感測(cè)該第2感測(cè)節(jié)點(diǎn)的電位的第2感測(cè)模塊，且所述第I感測(cè)模塊中...
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