技術(shù)編號：10625644
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲方案，這在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)的尤為明顯。由于人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND的優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)，對追求極致的業(yè)內(nèi)人士有著非凡的吸引力。在美好的市場前景的驅(qū)使下，行業(yè)中對NAND結(jié)構(gòu)進行了不懈的探索，開發(fā)出了一層為存儲單元、另一層為隔離層的電容結(jié)構(gòu)。而電容的深孔結(jié)構(gòu)由氧化硅構(gòu)成，隔離層則是由氮化硅構(gòu)成。但是，這種簡單的NAND結(jié)構(gòu)已經(jīng)不足以滿足用戶的需求，人們苛刻地要求存儲結(jié)構(gòu)的尺寸需要...
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