技術(shù)編號:10625658
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 雙內(nèi)核柵氧(dual core G0X)工藝是目前應(yīng)用在45nmLP (低功耗工藝)和28nm PloySION(多晶硅柵+氮氧硅絕緣層)工藝中用于增速的常規(guī)工藝,該工藝需要形成兩種厚 度差2A左右的柵氧化層。舉例來說,常規(guī)厚度的柵氧化層用于可以承受整個芯片的漏電流 的常規(guī)邏輯單元,厚度較薄的柵氧化層用于控制芯片速度的速推區(qū)域(speed push area)。 目前,為了使速推區(qū)域獲得足夠的飽和電流,在形成不同厚度的柵氧化層之后,利 用離子注入對速推區(qū)...
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