技術(shù)編號(hào)：10625897
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 隨著集成電路積成度的提升，半導(dǎo)體元件的關(guān)鍵尺寸（critical dimension，CD) 日漸縮小，為了達(dá)到高密度以及高效能的目標(biāo)，在有限的單位面積內(nèi)，往三維空間發(fā)展已 蔚為趨勢。以非揮發(fā)性存儲(chǔ)器為例，其包括由多個(gè)存儲(chǔ)單元排列而成的垂直式存儲(chǔ)陣列 (memory array)。上述三維半導(dǎo)體元件雖然使得單位面積內(nèi)的存儲(chǔ)器容量增加，但也增加 了不同層之間元件彼此連接的困難度。 近年來，在三維半導(dǎo)體元件中發(fā)展出階梯狀的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，以使位于每層的元件 容易...
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