技術編號：10644664
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。 近年來，稀±離子滲雜氣化物上轉換發(fā)光納米晶在太陽能電池、Ξ維顯示W(wǎng)及生 物成像等領域展現(xiàn)出巨大的潛在應用價值。高發(fā)光效率是運類材料獲得實際應用的重要前 提，提高效率最有效的方法之一是增加激活離子滲雜濃度，然而由于稀上離子具有豐富的 能級結構，增加激活離子滲雜濃度會導致濃度巧滅效應，即產(chǎn)生大量的無福射弛豫W及能 量反傳遞，使得發(fā)光強度大幅降低。目前研究最廣泛的上轉換發(fā)光納米材料是Yb/Er NaG化，其中Er3+離子最合適的滲雜濃度為2%。發(fā)明內容 本發(fā)明...
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