技術(shù)編號：10646008
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。第三代半導(dǎo)體材料GaN(氮化鎵)作為氮化物材料的代表，其禁帶寬度為3.4eV，具有較高的電子迀移率和熱導(dǎo)率，化學(xué)穩(wěn)定性強(qiáng)，無論是在光電子領(lǐng)域還是微電子領(lǐng)域都有很大的應(yīng)用前景。其中GaN單晶襯底在微波功率器件研制中很受重視，是制作微波功率器件的理想襯底材料。GaN單晶材料的制備主要是利用HVPE(氫化物氣相外延)生長方法，該方法獲得的GaN單晶在不進(jìn)行摻雜的條件下通常呈現(xiàn)低阻狀態(tài)。而要想用于研制微波功率器件就必須大幅度提高電阻率實(shí)現(xiàn)半絕緣GaN，這就要對Ga...
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