技術編號:10654583
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。如果動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)的集成度增大且高電壓用作外部電源電壓,那么可能劣化DRAM晶體管的可靠性。為了處理該問題,已經(jīng)廣泛使用用于在芯片內(nèi)部降低電源電壓的電壓轉換電路。在使用較低電源電壓的情況下,可以降低功耗。如果恒定電壓成為內(nèi)部電壓源,即使當外部電源電壓改變時,也能夠保證穩(wěn)定的電源電壓,從而導致芯片的穩(wěn)定操作。然而,被配置為接收內(nèi)部電壓(VINT)的外圍電路或存儲陣列的負載可以過度地改變,從而可能難以設計能夠在DRAM內(nèi)部執(zhí)行穩(wěn)定操作的電路。D...
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