技術(shù)編號：10654591
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。隨著存儲器裝置在高性能電子系統(tǒng)中被廣泛使用，它們的容量和速度已經(jīng)不斷增長。動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)是基于存儲在電容器中的電荷來讀取數(shù)據(jù)的易失型半導體裝置的示例。存儲器控制器通常向存儲器裝置提供各種命令和地址，并且控制包括存儲器操作的各種操作。包括在存儲器裝置中的存儲器單元陣列可包括多個存儲器區(qū)域(例如，庫)，并且可對于每個組執(zhí)行用于保留數(shù)據(jù)的刷新操作。然而刷新操作可影響存儲器操作(諸如寫/讀操作)。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明構(gòu)思的實施例提供一種能夠?qū)?zhí)行數(shù)據(jù)存取...
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