技術(shù)編號：10658283
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。GaN材料屬于第三代半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬度大、擊穿電場強(qiáng)度高等典型特點(diǎn)，十分適合用于制作高頻大功率器件。目前GaN微電子器件的已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于軍事通訊、雷達(dá)、電子對抗等國防軍工領(lǐng)域，隨著GaN晶圓成本的逐步下降以及GaN制造技術(shù)的不斷成熟，未來GaN器件將在民用領(lǐng)域大放異彩。未來的5G通訊或許是GaN電子器件走向大規(guī)模應(yīng)用的重要契機(jī)。GaN電子器件的研究已開展二十年有余，其工藝制備技術(shù)也逐步成熟。對于晶體管制備關(guān)鍵技術(shù)之一的隔離工藝，目前GaN晶體管方面...
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