技術(shù)編號：10658302
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。 包括在電子裝置中的半導體器件尺寸縮小以形成高速電子裝置。作為縮小半導體 器件尺寸的技術(shù)，提出了一種包括形成在從襯底突出的鰭上的柵極的FinFET。在FinFET中， 使用鰭作為三維(3D)溝道。發(fā)明內(nèi)容 本公開涉及一種具有提高的性能的集成電路(1C)器件。 本公開還涉及一種制造1C器件的方法。 根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例，一種1C器件包括襯底(其包括形成在襯底中的鰭 式有源區(qū)）、臺階絕緣層和第一高水平隔離層。鰭式有源區(qū)從襯底突出并且沿著平行于襯底 的主表...
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