技術(shù)編號(hào):10658304
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。多年以來(lái),沿著摩爾定律提供的途徑,人們一直采用對(duì)M0SFET進(jìn)行等比例微縮來(lái) 增加器件速度。然而隨著M0SFET尺寸的縮小,常規(guī)的等比例微縮方法遇到了以短溝道效應(yīng) 為核心的一系列問(wèn)題。對(duì)于互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(Complementary Metal Oxide Semi conductor,簡(jiǎn)稱CMOS)器件來(lái)說(shuō),如何提高載流子迀移率成為保持其性能的關(guān)鍵。應(yīng)變 Si材料應(yīng)用于器件雖然可以提升載流子迀移率,但是效果接近極限。而且由于Si材料的空 穴迀移率比電...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。