技術(shù)編號：10666022
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。在半導(dǎo)體工藝后端，由于不同工藝需求，有時候需要將晶圓進(jìn)行減薄，S卩，對進(jìn)行晶背研磨(backside grinding)將晶圓背面多余的基體材料去除一定的厚度使晶圓背面減到一定厚度，如常見有19豪寸(mil)，12豪寸等。比如通常在集成電路封裝前，要把2層或2層以上芯片堆疊在一起進(jìn)行系統(tǒng)封裝，而為了適應(yīng)集成電路芯片封裝的輕小化發(fā)展趨勢，人們希望晶圓的厚度能夠做到非常的薄(即制造超薄晶圓)，因此在晶圓切割前對晶圓進(jìn)行減薄，比如將晶圓片減薄到150um甚至15...
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