技術(shù)編號：10666044
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 在半導(dǎo)體制程中，晶片的金屬污染會對制品的元件特性造成不良的影響。例如，將 制品進(jìn)行熱處理，則會使得鐵（Fe)或鎳（Ni)等重金屬通過擴(kuò)散而進(jìn)入至硅晶片中，并且使 帶隙中形成深的能階（level)而作為載子捕獲中心或再結(jié)合中心，從而成為元件中的pn接 面泄漏或壽命減少的原因。因此，為了監(jiān)控制程中金屬污染的程度，而尋求一種可即時(shí)監(jiān)控 及高可靠度的監(jiān)控方法。 在影像感測器中，對金屬的容忍度是有限度的，若在制造過程中被金屬污染則會 影響照相的品質(zhì)。在互補(bǔ)金屬氧化...
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