技術(shù)編號：10688600
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 相變存儲器（PCM，Phase Change Memory)是一種由硫族化合物材料（GST， Ge2Sb2Te5)構(gòu)成的新型非易失存儲器，構(gòu)成相變存儲器的介質(zhì)材料在一定條件下會在非晶 態(tài)和晶態(tài)之間發(fā)生轉(zhuǎn)變，在此過程中的非晶態(tài)和晶態(tài)呈現(xiàn)出不同的電阻特性和光學(xué)特性， 因此，可以利用非晶態(tài)和晶態(tài)分別表示"0"和"Γ來存儲數(shù)據(jù)。 圖1展示了PCM的存儲架構(gòu)，作為一個實(shí)例，相變存儲系統(tǒng)由2個存儲列（rank)組 成，每個存儲列(rank)中包含N個存儲體(bank...
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