技術(shù)編號：10688984
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 以往，已知有下述分批(/%#)式的氣相生長裝置在基座的上表面上設(shè)有多個凹 部，同時處理例如用硅形成的多枚晶片。 作為用這樣的氣相生長裝置制造的外延晶片的用途，有以IGBT(絕緣柵雙極型晶 體管)為代表的功率器件。面向功率器件的外延晶片的外延膜的膜厚較厚，達(dá)到IOOym左右 的也不少。在這樣的厚膜形成中，雖然基座上的晶片被收納于凹部內(nèi)，但是容易發(fā)生凹部內(nèi) 周面和晶片外周面之間由于析出物而粘附的現(xiàn)象（以下稱為粘附），前述析出物被稱為搭 橋，跨越前述凹部內(nèi)周面...
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