技術(shù)編號：10689148
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 通常用在汽車電子和工業(yè)電子裝置中的功率晶體管應(yīng)具有低導(dǎo)通狀態(tài)阻抗(Rcin · A)，同時(shí)保證高電壓阻斷能力。例如，M0S("金屬氧化物半導(dǎo)體"）功率晶體管應(yīng)能夠(取決于 應(yīng)用需求)阻斷幾十至幾百或幾千伏特的漏極至源極電壓V dst3MOS功率晶體管典型地傳導(dǎo)非 常大的電流(在典型的大約2至20V的柵極-源極電壓下其可以高達(dá)幾百安培）。 關(guān)于具有進(jìn)一步改進(jìn)的Rcin · A特性的晶體管的概念指代橫向功率FinFET( "包括鰭 的場效應(yīng)晶體管"）。橫向功...
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