技術(shù)編號(hào)：10689156
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。ZnO是一種重要的新型寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有直接帶隙能帶結(jié)構(gòu)，室溫禁帶寬度3.37eV，激子束縛能高達(dá)60meV，可見光透過(guò)率高，物理化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，原料豐富等優(yōu)點(diǎn)，受到廣大研究者的關(guān)注，成為半導(dǎo)體研究領(lǐng)域的熱點(diǎn)。相對(duì)于α-S1H，氧化物TFTs具有很多優(yōu)點(diǎn)，如工藝溫度低、處理溫度窗口寬、迀移率高、開啟電壓低、柵絕緣層選擇范圍廣、電極簡(jiǎn)單、光態(tài)電流低、均勻性好、表面平整等。由于氧化物TFTs的這些優(yōu)點(diǎn)，使氧化物成為當(dāng)前TFT技術(shù)研發(fā)關(guān)注的熱點(diǎn)。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明...
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