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      外延晶片的制造方法和外延晶片的制作方法技術(shù)資料下載

      技術(shù)編號(hào):10694246

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      近年來(lái),硅裝置的微細(xì)化日益發(fā)展,要求在裝置形成區(qū)域不存在導(dǎo)致漏電流增大、載體壽命縮短的晶體缺陷。為了適應(yīng)該要求,制作使外延層在硅晶片上生長(zhǎng)的外延晶片,使用表面的外延層作為裝置形成區(qū)域。作為硅裝置制造工藝中的問(wèn)題點(diǎn)之一,可舉出重金屬在晶片中的混入。例如鈷、銅或鎳等重金屬混入晶片中時(shí),帶來(lái)停頓時(shí)間不良、保留不良、結(jié)泄漏不良以及氧化膜的絕緣破壞等,對(duì)裝置特性顯著的不良影響。因此為了抑制重金屬在裝置形成區(qū)域中擴(kuò)散,通常是米用吸雜法。該吸雜法有使氧在晶片內(nèi)部析出,利...
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