技術(shù)編號(hào)：10694268
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。在下述專利文獻(xiàn)I中公開(kāi)有通過(guò)激光退火而使形成于IGBT的背面的集電區(qū)域的摻雜劑活化的方法。在該激光退火方法中，首先，向半導(dǎo)體基板注入第I摻雜劑，進(jìn)而向比第I摻雜劑的注入深度更淺的區(qū)域注入第2摻雜劑。之后，使用第I脈沖激光束進(jìn)行激光退火以使較淺區(qū)域的第2摻雜劑活化。在該激光退火中，較深區(qū)域的第I摻雜劑不會(huì)被活化。進(jìn)而，使用脈沖寬度較長(zhǎng)的第2脈沖激光束來(lái)進(jìn)行激光退火以使較深區(qū)域的第I摻雜劑活化。以往技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I日本特開(kāi)2004-39984號(hào)公報(bào)發(fā)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。