技術編號：10698195
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。雙柵極金屬氧化物半導體場效應晶體管(雙柵極M0SFET)為將兩個柵極并入單個器件中的M0SFET。由于它們的結構包括從襯底延伸的薄“鰭”，因此這些器件還稱為鰭式場效應晶體管(FinFET)。雙柵極是指在溝道兩側上均存在柵極，其允許柵極從兩側控制溝道。此外，F(xiàn)inFET可減少短溝道效應以及提供較高的電流。其他FinFET結構也可包括三個或多個有效柵極。發(fā)明內容本發(fā)明的實施例提供了一種半導體結構，包括襯底;第一半導體鰭，設置在所述襯底上，其中，所述第一半導體鰭...
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