技術(shù)編號(hào)：10711643
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 氮化侶陶瓷材料具有高熱導(dǎo)率、優(yōu)良的電學(xué)性能、較優(yōu)良的力學(xué)性能W及與娃相 匹配的熱膨脹系數(shù)，同時(shí)具有優(yōu)良的抗氧化、耐熱沖擊性能，是高功率密度集成電路、高功 率L邸及IGBT模塊用理想的散熱封裝材料。 目前的氮化侶粉的制備方法主要包括碳熱還原法、侶粉氮化法、高溫自蔓延法、 溶膠凝膠法、氣相法等，其中，碳熱還原法和侶粉氮化法是目前適合大規(guī)模量產(chǎn)的兩種方 法。 碳熱還原法主要是將侶源和碳源均勻混合，在氮?dú)鈿夥障逻M(jìn)行氮化，反應(yīng)過程中 通常添加少量的反應(yīng)助劑，如稀±...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。