技術(shù)編號(hào)：10716203
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。隨著航空航天微電子器件、半導(dǎo)體集成電路向大功率、小型化、輕量化、低成本、高性能和高可靠性的方向發(fā)展，集成電路的集成度迅猛增加，導(dǎo)致芯片發(fā)熱量急劇上升，芯片壽命下降。據(jù)報(bào)道，溫度每升高10°C，半導(dǎo)體芯片因壽命的縮短而產(chǎn)生的失效就為原來的三倍。這是由于在微電子集成電路以及大功率整流器件中，材料之間散熱性能不佳而導(dǎo)致的熱疲勞以及熱膨脹系數(shù)不匹配而產(chǎn)生的熱應(yīng)力所引起的。解決該問題的重要手段就是使用新的性能更好的封裝材料。目前電子封裝用硅鋁合金主要采用熔鑄法、噴射...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。