技術(shù)編號(hào)：10727710
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。作為第三代半導(dǎo)體材料代表GaN基HEMT(HighElectron Mobility Transisors)器件，其具有擊穿電場(chǎng)高、迀移率高、禁帶寬度大、抗輻射能力強(qiáng)、熱導(dǎo)率好等優(yōu)點(diǎn)，GaN的這些優(yōu)良性質(zhì)，綜合了前兩代Si和GaAs等半導(dǎo)體材料的優(yōu)點(diǎn)，這些無(wú)可替代的優(yōu)勢(shì)使GaN成為研究熱點(diǎn)，進(jìn)而在微波射頻、大功率方面有廣泛的應(yīng)用前景。隨著5G時(shí)代的來(lái)臨，LDMOS(Lateral Double-Diffused Metal-Oxide Semiconduc...
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