技術(shù)編號(hào)：10727711
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。現(xiàn)在參照示出了常規(guī)隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管(TFET)1器件的配置的圖1。半導(dǎo)體襯底12輕摻雜有第一導(dǎo)電類型(在本示例中是η型)摻雜物。該半導(dǎo)體襯底可以例如由硅材料制成，并且可以是或者體襯底或者絕緣體上硅(SOI)襯底。源極區(qū)14和漏極區(qū)16在襯底12中提供在溝道區(qū)18的每一側(cè)上，其中，溝道區(qū)由輕摻雜的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體材料制成。與源極和漏極摻雜有與溝道所使用的摻雜物相反的同一導(dǎo)電類型摻雜物(例如，P型)的常規(guī)MOSFET器件不同，TFET被構(gòu)造成使得源極區(qū)14重...
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