技術(shù)編號(hào)：10727816
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。氮化鎵(GaN)基半導(dǎo)體材料光學(xué)和電學(xué)性質(zhì)優(yōu)良，非常適合發(fā)光器件的制備。早在1993年，氮化鎵基藍(lán)光LED就已被成功研制，并得到推廣應(yīng)用。現(xiàn)有的氮化鎵基外延片包括藍(lán)寶石襯底、緩沖層、U-GaN層、N-GaN層、發(fā)光層以及P-GaN層。然而圍繞著高性能氮化鎵基外延片研究的熱度絲毫不減，原因是現(xiàn)有的氮化鎵基外延片仍存在許多問題，如生成摻雜有Si的N-GaN層前后，多余的電子可能會(huì)造成晶格失配與熱應(yīng)力失配，這會(huì)在外延薄膜中產(chǎn)生大量的缺陷，進(jìn)而對后續(xù)的器件制造與加...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。