技術編號：10748878
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。 目前，單IGBTQnsulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管）的電 磁諧振電路通常采用并聯(lián)諧振方式，并在采用實現(xiàn)電磁爐大功率運行的諧振參數(shù)時，如果 在連續(xù)低功率段運行，則會出現(xiàn)W下問題 (l)IGBT電壓超前開通，開通瞬間會導致IGB刊舜態(tài)電流峰值高，容易超過IGBT電流 峰值規(guī)格限制，損壞IGBT; (2HGBT會發(fā)熱嚴重，需要加強對IGBT散熱(如增大散熱片、增加風機轉速等）W實 現(xiàn)IGBT的溫升要求； (3...
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