技術(shù)編號：10748880
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。現(xiàn)有的電磁加熱設(shè)備，比如電磁爐，通過調(diào)節(jié)脈沖信號(PffM信號)的占空比進而調(diào)節(jié)加熱功率的大小。但在加熱功率低于一定值(比如1000瓦)的情況下，脈沖信號會低于一定占空比，這使得IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)會出現(xiàn)嚴重的硬開現(xiàn)象，即在IGBT的柵極電壓未達到開啟電壓時，由于源極和漏極的電壓過大而導(dǎo)致電流能夠流通源極和漏極。這種現(xiàn)象會對IGBT造成較大的損耗，大大縮短IGBT的使用壽命。一種解決方案是調(diào)功加熱方...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。