技術(shù)編號(hào)：10748881
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。現(xiàn)有的電磁加熱設(shè)備，比如電磁爐，通過調(diào)節(jié)脈沖信號(hào)的占空比進(jìn)而調(diào)節(jié)加熱功率的大小。但在加熱功率低于一定值(比如1000瓦)的情況下，脈沖信號(hào)會(huì)低于一定占空比，這使得IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)會(huì)出現(xiàn)嚴(yán)重的硬開現(xiàn)象，即在IGBT的柵極電壓未達(dá)到開啟電壓時(shí)，由于源極和漏極的電壓過大而導(dǎo)致電流能夠流通源極和漏極。這種現(xiàn)象會(huì)對(duì)IGBT造成較大的損耗，大大縮短IGBT的使用壽命。一種解決方案是調(diào)功加熱方式，即電磁爐以較...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。