技術編號：10770556
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。現(xiàn)在參照圖1，圖1示出了常規(guī)的橫向雙極結型晶體管(BJT)1器件的總體配置。絕緣體上硅襯底12支撐該晶體管。襯底12包括襯底層14、掩埋氧化物(BOX)層16和半導體層18。用于晶體管器件的有源區(qū)域20由穿透層18的周邊環(huán)繞的淺溝槽隔離22界定。在有源區(qū)域20之內，層18被劃分已經(jīng)摻雜有第一導電類型摻雜物的基區(qū)30、已經(jīng)摻雜有第二導電類型摻雜物的發(fā)射區(qū)32(在一側上鄰近于基區(qū)30)以及同樣已經(jīng)摻雜有第二導電類型摻雜物的集電區(qū)34(在與發(fā)射區(qū)32相對的側上鄰...
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