技術(shù)編號：10770594
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。隨著半導(dǎo)體發(fā)光芯片發(fā)光效率的提升和制造成本的下降，半導(dǎo)體發(fā)光芯片已被廣泛應(yīng)用于背光、顯示和照明等領(lǐng)域。為了使LED能夠應(yīng)用于不同的領(lǐng)域，特別是環(huán)境惡劣的戶外照明，對LED的可靠性，特別是以反向擊穿電壓為特征的抗靜電能力提出了更高的要求。目前，LED的發(fā)光效率盡管已遠(yuǎn)大于其它光源的發(fā)光效率，但仍低于其理論最高值。顯而易見，如果能通過改善LED芯片用的外延結(jié)構(gòu)來提升其發(fā)光效率和抗靜電能力有其廣寬的實(shí)用價值和顯著的社會效益和經(jīng)濟(jì)效益。目前，氮化鎵基LED外延結(jié)構(gòu)...
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