技術(shù)編號：10805031
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。如已知的，能夠傳導(dǎo)高電流并承受高電壓的諸如例如MOSFET或絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等的電子器件如今是可得到的。然而，這些器件可能會經(jīng)受所謂的閂鎖現(xiàn)象。例如，如參照IGBTI在圖1中示出的，該晶體管具有寄生電路，其包括分別是PNP型和NPN型的第一寄生晶體管2和第二寄生晶體管3。另外，第一寄生晶體管2的集電極被連接至第二寄生晶體管3的基極，第二寄生晶體管3的集電極被連接至第一寄生晶體管2的基極，而第一、第二寄生晶體管2、3的發(fā)射極被分別連接至IGBT...
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