技術(shù)編號：10805034
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。目前現(xiàn)有的普通VDMOS器件如圖1所示，包括N+型襯底1、N_型外延層2(N_epi)、柵氧化層4、多晶硅柵極5(Poly 6&仏)、？型體區(qū)6(?130(^);普通￥0103器件想要提高耐壓，需要更高電阻率、更厚的N-型外延層2，但這樣會極大的增加MOS器件的導(dǎo)通電阻；現(xiàn)有的平面柵超結(jié)MOS器件如圖2所示，包括N+型襯底1、N_型外延層2(N_epi)、P型柱深槽結(jié)構(gòu)3(P pillar trench)、柵氧化層4、多晶娃柵極5(Poly Gat...
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