技術(shù)編號(hào):10808371
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。目前,單IGBT(InsulatedGate Bipolar Transistor,絕緣棚.雙極型晶體管)的電磁諧振電路通常采用并聯(lián)諧振方式,并在采用實(shí)現(xiàn)電磁爐大功率運(yùn)行的諧振參數(shù)時(shí),如果在連續(xù)低功率段運(yùn)行,則會(huì)出現(xiàn)以下問題(I )IGBT電壓超前開通,開通瞬間會(huì)導(dǎo)致IGBT瞬態(tài)電流峰值高,容易超過IGBT電流峰值規(guī)格限制,損壞IGBT;(2) IGBT會(huì)發(fā)熱嚴(yán)重,需要加強(qiáng)對(duì)IGBT散熱(如增大散熱片、增加風(fēng)機(jī)轉(zhuǎn)速等)以實(shí)現(xiàn)IGBT的溫升要求;(3)如果采...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路,無完整電路圖,適合研究學(xué)習(xí)。