技術(shù)編號：10956314
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。如所知道的，在電子部件(尤其是非常小尺寸的CMOS器件，諸如柵極寬度小于0.18ym的器件)的制造中，頻繁使用無邊界(borderless)接觸技術(shù)。該技術(shù)包括在操作區(qū)域上方沉積通常為氮化硅的保護層(其還用作蝕刻停止)，并且在沉積被平面化的金屬前介電層(例如，USG(非摻雜硅玻璃)和BPSG(硼磷硅玻璃))之前擴散器件。因此，通過在介電層中和保護層中形成通孔然后沉積互連導電層來獲取穿過絕緣層的接觸件。具體地，通過使用光刻膠掩膜順次且選擇性地首先蝕刻介電層，...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。