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      一種高強(qiáng)度陶瓷基板生產(chǎn)線的制作方法技術(shù)資料下載

      技術(shù)編號(hào):10992360

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      在大功率、高密度封裝中,電子元件及芯片等在運(yùn)行過(guò)程中產(chǎn)生的熱量主要通過(guò)陶瓷基板散發(fā)到環(huán)境中,所以陶瓷基板在散熱過(guò)程中擔(dān)當(dāng)了重要的角色。Al2O3陶瓷導(dǎo)熱率相對(duì)較低,在大功率、高密度封裝器件運(yùn)行時(shí)須強(qiáng)制散熱才可滿足要求。BeO陶瓷導(dǎo)熱性能最好,但因環(huán)保問(wèn)題,基本上被淘汰。SiC陶瓷金屬化后鍵合不穩(wěn)定,作為絕緣基板用時(shí),會(huì)引起熱導(dǎo)率和介電常數(shù)的改變。AlN陶瓷具有高的導(dǎo)熱性能,適用于大功率半導(dǎo)體基片,在散熱過(guò)程中自然冷卻即可達(dá)到目的,同時(shí)還具有很好的機(jī)械強(qiáng)度、...
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