技術編號：11005617
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。目前在對噪聲敏感的半導體產(chǎn)品設置電磁(EMI,ElectromagneticInterference)屏蔽層時，通常使用濺鍍工藝。在傳統(tǒng)的濺鍍工藝中，金屬原子處于高度激發(fā)的狀態(tài)。即使需要濺鍍的半導體產(chǎn)品底部和保護膠帶之間存在一點點空隙，也會導致金屬溢鍍到半導體產(chǎn)品的引腳面，造成半導體產(chǎn)品短路。對于焊球陣列封裝(BGA，Ball GridArray)產(chǎn)品而言，由于其背面植有錫球，勢必無法以引腳面貼于膠帶的傳統(tǒng)方式制作電磁屏蔽層。鑒于BGA封裝的各種優(yōu)勢，其得...
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