技術(shù)編號(hào)：11010188
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。加速器中子源是利用離子源產(chǎn)生的氘離子或氘氚混合離子，經(jīng)過加速電場(chǎng)的加速，獲得一定的能量，在靶上發(fā)生D/D或D/T聚變反應(yīng)，并在4JT方向上放出中子。加速器中子源產(chǎn)額高，關(guān)斷電源后沒有中子產(chǎn)生，使用方便，可控性好，安全性較高。加速器中子源的高能離子束轟擊靶時(shí)產(chǎn)生很高的能量沉積，即使在通水冷卻的條件下，靶上能夠承受的功率密度也必須控制在一個(gè)合理的范圍，保證靶的正常使用。通常情況下，為了加快成像速度，提高工作效率，都希望提高中子產(chǎn)額，也就是增加離子束流強(qiáng)度或者離...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無(wú)完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。