技術(shù)編號(hào):11023617
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。磁控濺射陰極沉積中,陰極靶位于屏蔽罩內(nèi),在正對(duì)陰極靶的屏蔽罩面板上開(kāi)有矩形濺射孔,濺射孔的長(zhǎng)度方向與陰極靶的長(zhǎng)度方向一致。磁控濺射裝置工作時(shí),電子撞擊氬氣產(chǎn)生離子,所產(chǎn)生的離子在電場(chǎng)作用下撞向陰極靶面從而濺射出靶原子,靶原子穿過(guò)濺射孔而附著在基材上,完成對(duì)基材的鍍膜。可能是由于陰極靶兩端的磁場(chǎng)、以及工作(反應(yīng))氣體密度供給分布不均勻的緣故,使得陰極靶兩端濺射沉積速率與中間部分有較大差異,越靠近兩端差異越大。從而導(dǎo)致濺射鍍膜在基底上形成的薄膜厚度均勻性差,與...
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