技術編號：11051939
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本實用新型屬于激光器技術領域，具體涉及一種VCSEL激光器管芯結構。背景技術在半導體激光器領域，根據發(fā)光方向與激光芯片所在外延片平面的關系，激光器可劃分為垂直腔面發(fā)射激光器(VerticalCavitySurfaceEmittingLaser，簡稱VCSEL)與邊發(fā)射半導體激光器(EdgeEmittingLaserDiode)兩類。其中，垂直腔面發(fā)射激光器的發(fā)光方向垂直于外延片方向，從反應區(qū)的頂面射出，而邊發(fā)射半導體激光器的發(fā)光方向平行于外延片方向，從反應區(qū)的邊緣射出。與邊發(fā)射半導體激光器相比，...
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