技術(shù)編號：11064302
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種量子阱器件及其形成方法。背景技術(shù)高電子遷移率晶體管(HEMT)的基本結(jié)構(gòu)由一個調(diào)制摻雜異質(zhì)結(jié)及其源漏結(jié)構(gòu)組成。存在于調(diào)制摻雜異質(zhì)結(jié)中的二維電子氣(2-DEG)，由于不受電離雜質(zhì)離子散射的影響，其遷移率非常高。HEMT是電壓控制器件，柵極電壓Vg可控制異質(zhì)結(jié)勢阱的深度，從而控制勢阱中2-DEG的面密度，進(jìn)而控制器件的工作電流。對于GaAs體系的HEMT，通常其中的n-AlxGa1-xAs控制層應(yīng)該是耗盡的。若n-AlxGa1-xAs層厚度較大、摻雜濃度又高，則...
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