技術(shù)編號：11064307
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種金屬氧化物半導(dǎo)體器件，尤其是一種具有雙柵極結(jié)構(gòu)的金屬氧化物半導(dǎo)體管器件。背景技術(shù)隨集成電路集成度的提高，器件尺寸逐步按比例縮小，目前特征尺寸已達到32nm量級。金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)是最常見的半導(dǎo)體器件，是構(gòu)成各種復(fù)雜電路的基本單元。MOS晶體管基本結(jié)構(gòu)包括三個主要區(qū)域：源極(source)、漏極(drain)和柵電極(gate)。其中源極和漏極是通過高摻雜形成的，根據(jù)器件類型不同，可分為n型摻雜(NMOS)和p型摻雜(PMOS)。在器件按比例縮小的過程中，漏極電壓并不隨之減小...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。