技術(shù)編號(hào)：11100276
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及電子元器件制備領(lǐng)域，詳細(xì)地講是一種制作氮化硅陶瓷電路基板的生產(chǎn)工藝。背景技術(shù)眾所周知，氮化鋁基片（DPC）主要是基于氧化鋁陶瓷基板發(fā)展起來的陶瓷表面金屬化技術(shù)。氮化鋁基片與氧化鋁基片相比具有更高的導(dǎo)熱特性，同時(shí)DPC基板具有銅箔的高導(dǎo)電特性，兩者結(jié)合制備的A1N-DPC基板具有優(yōu)良的電絕緣性能，高熱導(dǎo)率，較高的附著強(qiáng)度，低介電常數(shù)、低介電損耗、耐高溫、抗冷熱沖擊能力等特性，是一種重要的電子線路基片材料，被廣泛應(yīng)用于大功率電力電子模塊，如大功率DC／DC電源模塊、固態(tài)繼電器和功率模塊用封...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。