技術(shù)編號：11101014
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及等離子體刻蝕領(lǐng)域，尤其涉及一種氣體流量控制裝置及等離子體刻蝕設(shè)備。背景技術(shù)目前，在現(xiàn)有的等離子體刻蝕設(shè)備中，上部電極作為工藝氣體的分散裝置，無論是增強(qiáng)型電容耦合等離子體(EnhancedCapacitiveCoupledPlasma，ECCP)模式的上部電極，還是感應(yīng)耦合等離子體(InductivelyCoupledPlasma，ICP)模式的上部電極，都是先將所有工藝氣體混合后通過內(nèi)環(huán)管道和外環(huán)管道通入至上部電極，并通過管道上的氣體分配比控制裝置(FlowRatioControl，F(xiàn)...
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