技術(shù)編號：11101278
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種單管IGBT的散熱結(jié)構(gòu)及加工工藝。背景技術(shù)絕緣柵雙極型晶體管(InsulatedGateBipolarTransistor,IGBT)作為能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷呀?jīng)成為功率半導(dǎo)體器件的主流，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。隨著現(xiàn)代電力電子技術(shù)的發(fā)展，單管IGBT的電流等級不斷提高，PN結(jié)溫度升高會使元件極易失效，因此IGBT的熱管理問題極為重要。傳統(tǒng)的散熱方式有風(fēng)冷、熱管等相變冷卻和單相液體冷卻等，各有優(yōu)點(diǎn)，也各自存在...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。