技術(shù)編號(hào)：11102817
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于集成電路技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種基于CH3NH3PbI3材料的N型雙向HEMT器件及其制備方法。背景技術(shù)隨著電子技術(shù)的蓬勃發(fā)展，半導(dǎo)體集成電路對社會(huì)發(fā)展和國民經(jīng)濟(jì)所起的作用越來越大。而其中市場對光電高速器件的需求與日俱增，并對器件的性能不斷提出更高更細(xì)致的要求。為尋求突破，不管從工藝，材料還是結(jié)構(gòu)等方面的研究一直未有間斷。近年來，隨著可見光無線通訊技術(shù)以及電路耦合技術(shù)的崛起，市場對可見光波段的光電高電子遷移率晶體(HighElectronMobilityTransistor,簡稱HEMT...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。