技術(shù)編號(hào)：11111091
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及控制串聯(lián)連接的多個(gè)開(kāi)關(guān)模塊的系統(tǒng)及方法，特別涉及電子裝置、電能變換裝置中控制串聯(lián)連接的多個(gè)開(kāi)關(guān)模塊的系統(tǒng)及方法。背景技術(shù)變換器，例如直流到直流變換器、直流到交流逆變器或者交流到直流變換器，通常采用絕緣柵雙極型晶體管(insulatedgatebipolartransistor，IGBT)作為基本的電子開(kāi)關(guān)。針對(duì)高電流應(yīng)用，一個(gè)典型的IGBT模塊通常包括兩個(gè)或多個(gè)IGBT，該兩個(gè)或多個(gè)IGBT并聯(lián)連接以提供較大的電流輸出。針對(duì)高電壓應(yīng)用，多個(gè)上述IGBT模塊串聯(lián)連接以提供較大的電壓輸出。...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。