技術(shù)編號(hào)：11112299
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種微電子、射頻微波測(cè)量方法，特別涉及一種LDMOS器件內(nèi)匹配方法。背景技術(shù)針對(duì)目前大功率器件的內(nèi)匹配電路設(shè)計(jì)，一般使用LC組成的“T”型網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)或者“π”型匹配網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)進(jìn)行匹配，如圖1-2所示，實(shí)現(xiàn)將裸芯片較小的阻抗值匹配到適合測(cè)試的阻抗。針對(duì)器件工作頻率較低的范圍，器件本身特性導(dǎo)致低頻段穩(wěn)定性較差，容易產(chǎn)生振蕩，最終造成器件燒毀甚至導(dǎo)致測(cè)試儀器燒毀。為了達(dá)到更高的輸出功率，器件柵寬逐漸增大，芯片的輸入阻抗變得越來(lái)越低，器件無(wú)載Q值會(huì)變得很高，饋送電信號(hào)的幅度不平衡和相位不平衡的問(wèn)題...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
該類(lèi)技術(shù)注重原理思路，無(wú)完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。